전체 글 (46) 썸네일형 리스트형 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding): 칩을 위로 쌓아 직접 잇는 3D 적층 기술 반도체 기초8대 공정용어사전1:1 멘토링취업 TIP📱 반도체마스터 앱에서 이어서 공부하기반도체 기초부터 8대 공정, 면접 기출, 자소서·면접 TIP까지 카테고리별로 정리되어 있습니다.👉 [플레이스토어] 👉 [앱스토어]하이브리드 본딩(Hybrid Bonding): 칩을 위로 쌓아 직접 잇는 3D 적층 기술안녕하세요? 반도체 마스터입니다.오늘은 최근 3D 적층 기술의 핵심으로 떠오른 하이브리드 본딩을 정리해봅니다. TSV가 칩을 '뚫어서' 연결한다면, 하이브리드 본딩은 구리 패드를 직접 맞대어 '붙여서' 연결하는 기술입니다. 왜 이 방식이 필요하고 어떻게 동작하는지 살펴보겠습니다.왜 칩을 쌓는가: 범프의 한계AI 칩과 HBM(고대역폭 메모리)은 점점 더 많은 신호를 주고받아야 합니다. 기존.. 플라즈마(Plasma): 건식 식각과 증착을 움직이는 제4의 물질 상태 반도체 기초8대 공정용어사전1:1 멘토링취업 TIP📱 반도체마스터 앱에서 이어서 공부하기반도체 기초부터 8대 공정, 면접 기출, 자소서·면접 TIP까지 카테고리별로 정리되어 있습니다.👉 [플레이스토어] 👉 [앱스토어]플라즈마(Plasma): 건식 식각과 증착을 움직이는 제4의 물질 상태안녕하세요? 반도체 마스터입니다.건식 식각 장비 안의 보라색 빛, 그 정체는 바로 '플라즈마'입니다. 건식 식각부터 PECVD 증착, 포토레지스트 제거(애싱)까지, 핵심 공정의 심장이라 할 수 있습니다.플라즈마란 무엇인가기체에 강한 에너지를 가하면 전자가 원자에서 떨어져 나가 양이온(이온)이 되고, 반응성이 큰 중성 라디칼(radical)이 함께 생깁니다. 이 혼합 상태가 플라즈마입니다. 전체적으로는 전기.. RTA(급속 열처리): 이온 주입 후 불순물을 '깨우는' 어닐링의 원리 반도체 기초8대 공정용어사전1:1 멘토링취업 TIP📱 반도체마스터 앱에서 이어서 공부하기반도체 기초부터 8대 공정, 면접 기출, 자소서·면접 TIP까지 카테고리별로 정리되어 있습니다.👉 [플레이스토어] 👉 [앱스토어]RTA(급속 열처리): 이온 주입 후 불순물을 '깨우는' 어닐링의 원리안녕하세요? 반도체 마스터입니다.오늘은 이온 주입 다음에 따라오는 열처리, RTA(급속 열처리)의 원리를 정리해 보겠습니다. 불순물을 '쏘아 넣는' 것만으로는 도핑이 끝나지 않습니다. 왜 열처리가 필요하고, 왜 굳이 수 초 만에 끝내는 '급속' 방식을 쓰는지 알면 확산·접합 관련 면접 질문에 강해집니다.이온 주입 직후, 웨이퍼의 상태이온 주입은 불순물 이온을 수십~수백 keV의 높은 에너지로 웨이퍼에 때려.. 실리사이드(Salicide) 공정: 소스·드레인의 접촉 저항을 낮추는 자가정렬 기술 반도체 기초8대 공정용어사전1:1 멘토링취업 TIP📱 반도체마스터 앱에서 이어서 공부하기반도체 기초부터 8대 공정, 면접 기출, 자소서·면접 TIP까지 카테고리별로 정리되어 있습니다.👉 [플레이스토어] 👉 [앱스토어]실리사이드(Salicide) 공정: 소스·드레인의 접촉 저항을 낮추는 자가정렬 기술안녕하세요? 반도체 마스터입니다.트랜지스터 성능이 채널 길이만으로 결정되는 줄 알았는데, 면접에서 "접촉 저항은 왜 중요해요?"라는 질문에 막힌 분 많으시죠. 오늘은 소스·드레인 표면에 금속-실리콘 합금을 만드는 실리사이드(Salicide) 공정을 원리부터 깊이 있게 정리합니다.1. 왜 접촉 저항이 문제인가소자가 미세화되면 소스·드레인 면적이 줄어들고, 금속 컨택트와 실리콘이 닿는 면적도 함께.. STI(얕은 트렌치 소자 분리): 트랜지스터 사이를 구분 짓는 참호 기술 반도체 기초8대 공정용어사전1:1 멘토링취업 TIP📱 반도체마스터 앱에서 이어서 공부하기반도체 기초부터 8대 공정, 면접 기출, 자소서·면접 TIP까지 카테고리별로 정리되어 있습니다.👉 [플레이스토어] 👉 [앱스토어]STI(얕은 트렌치 소자 분리): 트랜지스터 사이를 구분 짓는 참호 기술안녕하세요? 반도체 마스터입니다.오늘은 칩 위의 트랜지스터 수백억 개가 서로 뒤엉키지 않고 동작하게 만드는 숨은 공신, STI(Shallow Trench Isolation, 얕은 트렌치 소자 분리)를 공부해봅니다. 면접에서는 "왜 LOCOS에서 STI로 바뀌었나요"라는 질문으로 자주 등장합니다.1. 소자 분리가 필요한 이유웨이퍼 한 장 위에는 수백억 개의 트랜지스터가 수 나노미터 간격으로 빽빽하게 들어앉.. 선택적 에피택시 성장: 소스·드레인에 실리콘 결정을 키워 올리는 기술 반도체 기초8대 공정용어사전1:1 멘토링취업 TIP📱 반도체마스터 앱에서 이어서 공부하기반도체 기초부터 8대 공정, 면접 기출, 자소서·면접 TIP까지 카테고리별로 정리되어 있습니다.👉 [플레이스토어] 👉 [앱스토어]선택적 에피택시 성장: 소스·드레인에 실리콘 결정을 키워 올리는 기술안녕하세요? 반도체 마스터입니다.오늘은 에피택시(Epitaxy) 성장을 다룹니다. 웨이퍼 표면에 원자를 한 층씩 쌓아 '결정'을 키우는 기술로, 특히 소스·드레인 영역에만 선택적으로 성장시키는 방식이 FinFET 시대의 핵심 공정입니다.에피택시란: 증착이 아닌 '성장'에피택시는 그리스어로 '위에(epi) 배열하다(taxis)'라는 뜻으로, 기존 결정의 원자 배열을 그대로 이어받으며 층을 쌓는 방식입니다. C.. ALD(원자층 증착): 원자를 한 층씩 쌓아 만드는 완벽한 박막 반도체 기초8대 공정용어사전1:1 멘토링취업 TIP📱 반도체마스터 앱에서 이어서 공부하기반도체 기초부터 8대 공정, 면접 기출, 자소서·면접 TIP까지 카테고리별로 정리되어 있습니다.👉 [플레이스토어] 👉 [앱스토어]ALD(원자층 증착): 원자를 한 층씩 쌓아 만드는 완벽한 박막안녕하세요? 반도체 마스터입니다.오늘은 증착 공정의 '끝판왕'이라 불리는 ALD(Atomic Layer Deposition, 원자층 증착)를 다룹니다. CVD와 PVD가 한 번에 막을 두껍게 쌓는다면, ALD는 원자 한 층씩 쌓고 닦는 과정을 수백 번 반복해 박막을 만듭니다. 느리지만, 그만큼 정밀합니다.1. ALD의 핵심 원리: 자기 제한 반응ALD의 1사이클은 네 단계입니다. ① 전구체 A 주입 → ② 퍼지(.. TSV(실리콘 관통 전극): 칩을 위로 쌓아 올리는 3D 적층 기술 반도체 기초8대 공정용어사전1:1 멘토링취업 TIP📱 반도체마스터 앱에서 이어서 공부하기반도체 기초부터 8대 공정, 면접 기출, 자소서·면접 TIP까지 카테고리별로 정리되어 있습니다.👉 [플레이스토어] 👉 [앱스토어]TSV(실리콘 관통 전극): 칩을 위로 쌓아 올리는 3D 적층 기술안녕하세요? 반도체 마스터입니다.AI 시대가 열리면서 GPU가 요구하는 메모리 대역폭은 폭발적으로 늘었는데, D램 칩을 옆으로 넓히는 것만으로는 한계가 명확해졌습니다. 그래서 나온 발상이 "칩을 위로 쌓자"입니다. 오늘은 이 적층 기술의 핵심인 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극)의 원리와 공정, HBM 적용까지 정리합니다.왜 칩을 쌓는가: 배선 길이가 곧 성능이다신호가 칩과 칩 사.. 이전 1 2 3 4 ··· 6 다음
